您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DTC114WETL

DTC114WETL 发布时间 时间:2025/11/8 2:57:22 查看 阅读:5

DTC114WETL是一种由东芝(Toshiba)生产的表面贴装晶体管阵列,内部集成了两个NPN型双极结型晶体管(BJT)。该器件采用小型化的SOT-23(或类似SMT)封装,适用于高密度印刷电路板设计,广泛应用于便携式电子设备、通信模块以及各类数字逻辑驱动电路中。DTC114WETL的设计重点在于集成度和节能特性,其内置的电阻网络有助于简化外围电路设计,减少元件数量并提高系统可靠性。这两个晶体管通常用于开关操作,在低电压和低电流条件下表现出色,适合现代电子产品对微型化与高效能的需求。由于其优良的电气性能和稳定性,DTC114WETL被广泛用于手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他消费类电子产品中的信号切换、电平转换和LED驱动等应用场景。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应当前绿色制造的发展趋势。

参数

类型:NPN晶体管阵列
  配置:双晶体管
  封装形式:SOT-23
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大发射极-基极电压(VEBO):4V
  最大集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(PD):200mW
  直流电流增益(hFE):120 ~ 700(典型值取决于工作点)
  过渡频率(fT):250MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  内置电阻:基极串联电阻(R1)、下拉电阻(R2),具体阻值根据型号定义,常为R1=10kΩ, R2=10kΩ

特性

DTC114WETL的核心优势之一是其内部集成的电阻网络结构,每个晶体管的基极端都连接有预设阻值的电阻,通常包括一个基极限流电阻和一个基极-发射极间的下拉电阻。这种设计显著减少了外部元件的数量,从而节省了PCB空间,并降低了因外部分立电阻失效而导致的潜在故障风险。该器件特别适用于逻辑电平转换和直接微控制器驱动应用,因为其内建电阻能够有效限制输入电流,防止过驱动,同时确保在输入悬空时晶体管可靠截止,避免误触发。
  该器件具有良好的高频响应能力,过渡频率可达250MHz,使其不仅适用于直流开关应用,也可在中频模拟信号放大场合中使用。尽管主要定位为开关用途,但其宽泛的直流电流增益范围(120~700)允许在不同负载条件下实现稳定的增益控制。此外,DTC114WETL具备出色的热稳定性和温度适应性,可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作,满足工业级和汽车级应用的部分要求。
  从制造角度看,DTC114WETL采用先进的半导体工艺生产,确保了批次间的一致性和长期可靠性。其SOT-23封装具有良好的散热性能和机械强度,适合自动化贴片生产流程。该器件还通过了多项国际质量认证,符合AEC-Q101等车规标准的部分测试条件,因此也可用于车载电子系统中的传感器接口、继电器驱动或LED照明控制模块。总体而言,DTC114WETL是一款高度集成、可靠且易于使用的晶体管阵列器件,兼顾性能与成本效益,非常适合现代紧凑型电子系统的设计需求。

应用

DTC114WETL常用于各类需要小型化、低功耗晶体管解决方案的电子设备中。典型应用包括微控制器I/O端口扩展与驱动,例如用于驱动继电器、蜂鸣器、小功率LED指示灯或LCD背光控制电路。由于其内置电阻特性,该器件可以直接由数字逻辑输出(如3.3V或5V TTL/CMOS电平)驱动,无需额外添加限流电阻,极大简化了电路设计。
  在通信接口电路中,DTC114WETL可用于电平转换和信号隔离,特别是在UART、I2C总线或其他低速串行通信路径中作为缓冲级使用。此外,它也常见于电源管理模块中,用于控制PMOS或P沟道MOSFET的栅极,实现负载开关或电源通断控制功能。
  在消费类电子产品如智能手机、蓝牙耳机、智能手表等设备中,DTC114WETL被广泛应用于传感器使能信号控制、摄像头模组供电切换以及电池充电状态指示等功能模块。其小型封装和高集成度非常契合这些产品对空间和功耗的严苛要求。
  工业控制领域中,该器件可用于PLC输入输出模块、光电耦合器驱动、按钮去抖电路等场景。此外,在汽车电子中,DTC114WETL可用于车身控制模块(BCM)、车内照明控制、门锁驱动和雨刷控制单元等非高功率负载的开关控制。得益于其可靠性和环境适应性,即使在振动、湿度和温度变化较大的环境中也能保持稳定运行。

替代型号

MMBT3904DW
  DTC114EKA
  DTC114YKA
  FMMT214

DTC114WETL推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DTC114WETL资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

DTC114WETL参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)4.7k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)24 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装EMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC114WETL-NDDTC114WETLTR