K2690 时间：2025/8/9 16:00:07 阅读：15

K2690 是一款常见的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种高功率开关应用中。该器件以其高耐压、大电流能力和低导通电阻而著称，适用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制以及各种工业和消费类电子设备。K2690 的封装形式通常为TO-220或TO-3P，便于散热并确保在高功率工作条件下的稳定性。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：900V
　　最大漏极电流（ID）：9A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.45Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V～4V
　　最大功耗（PD）：约80W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220、TO-3P

特性

K2690 功率MOSFET 具备多项优良特性，使其在各种高电压、中等功率应用中表现出色。首先，其高达900V的漏极-源极耐压（VDSS）使其适用于高压电源系统，例如开关电源（SMPS）和LED驱动器。其次，该器件的导通电阻较低，通常在0.4Ω左右，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，K2690 采用先进的平面工艺制造，确保了良好的热稳定性和可靠性。
　　K2690 的栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。其栅极阈值电压（VGS(th)）在2V～4V之间，确保在标准逻辑电平下可有效驱动。该器件的封装形式（如TO-220）具有良好的散热性能，能够在高功率运行条件下保持稳定的工作温度。
　　由于其优异的电气特性和热性能，K2690 在工业控制、电源管理、逆变器、充电器以及高电压负载开关中得到广泛应用。此外，该器件的可靠性和成本效益也使其成为许多中功率电子设计的首选。

应用

K2690 主要用于需要高电压和中等功率控制的电子电路中。典型应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、LED驱动器、马达驱动器、电池充电器、逆变器、电源管理系统以及各种工业和消费类电子设备中的高电压开关控制。此外，K2690 也可用于高电压负载的开关控制，例如继电器替代、电热器控制和高压LED照明系统。