型号：50ME3R3HWN
　　制造商：Panasonic
　　输出类型：LVCMOS
　　标称频率：50 MHz
　　供电电压：3.3V
　　频率稳定性：±25 ppm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　启动时间：≤ 10ms
　　输出电平：CMOS 兼容
　　上升/下降时间：≤ 5ns
　　老化率：±3 ppm/年
　　相位抖动（12kHz - 20MHz）：≤ 1.0 ps RMS
　　封装类型：4-pin Ceramic DIP
　　尺寸：约 5.0mm x 3.2mm x 1.2mm
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　最大输出负载电容：15 pF
　　电源电流：≤ 6 mA

50ME3R3HWN 的核心特性之一是其基于 MEMS 技术的谐振结构，这使其在物理鲁棒性方面远超传统石英晶体振荡器。MEMS 谐振器由单晶硅制成，具有极高的机械强度和抗冲击能力，可承受高达 30,000 g 的冲击和 70 g 的振动，非常适合部署在高振动环境如工业自动化设备、车载系统和便携式仪器中。此外，MEMS 技术避免了石英晶体因机械疲劳或密封失效导致的早期失效问题，大幅提升了产品的长期可靠性。
　　另一个关键特性是其出色的频率稳定性与温度补偿能力。50ME3R3HWN 在整个工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C）内保持 ±25 ppm 的频率偏差，这一性能通过内置的温度传感器和数字补偿电路实现。芯片内部的智能温度补偿算法实时监测环境温度，并动态调整振荡频率，确保输出时钟在整个温度范围内高度稳定。这种稳定性对于高速通信接口、数据采集系统和精密计时应用至关重要，可有效减少误码率并提升系统同步精度。
　　该器件还具备低相位噪声和低抖动特性，相位抖动（12kHz - 20MHz 积分区间）低于 1.0 ps RMS，保证了时钟信号的纯净度，有利于高速数字系统的时序完整性。其快速启动时间小于 10ms，意味着上电后能迅速进入稳定工作状态，适用于需要频繁启停或快速唤醒的应用场景。此外，50ME3R3HWN 的功耗较低，典型电源电流不超过 6 mA，有助于降低系统整体能耗，尤其适合对能效敏感的设计。
　　从制造和供应链角度看，50ME3R3HWN 基于标准半导体工艺生产，不受石英原材料供应波动影响，供货周期稳定，且易于实现大规模自动化装配。其陶瓷封装提供了良好的气密性和热稳定性，进一步增强了在恶劣环境下的耐久性。总体而言，50ME3R3HWN 结合了高精度、高可靠性、小尺寸和易用性，是现代电子系统中替代传统石英振荡器的理想选择。

50ME3R3HWN 广泛应用于对时钟精度和系统可靠性要求较高的各类电子设备中。在通信领域，它常被用于路由器、交换机、基站和光模块等设备中，为高速串行接口（如 Gigabit Ethernet、PCIe、USB 3.0）提供稳定的参考时钟，确保数据传输的同步性和低误码率。其低抖动和高稳定性特性能够满足通信协议对时钟质量的严格要求。
　　在工业控制和自动化系统中，50ME3R3HWN 被集成于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、工业网关和传感器节点中，作为主控 MCU 或 FPGA 的时钟源。其宽温工作能力和抗振动性能使其能够在工厂车间、户外设备或移动机械中长期稳定运行，不受恶劣环境影响。
　　在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪和信号发生器，高精度时钟是确保测量准确性的基础。50ME3R3HWN 提供的低相位噪声和高频率稳定性有助于提高仪器的时间基准精度，从而提升整体测量性能。
　　此外，该器件也适用于医疗电子设备，例如便携式监护仪、成像系统和诊断仪器，这些设备不仅要求高可靠性，还需符合严格的电磁兼容（EMC）标准。50ME3R3HWN 的低 EMI 输出和稳定的电气特性有助于满足这些要求。
　　在消费类高端电子产品中，如高性能音频设备、智能家居中枢和嵌入式计算平台，50ME3R3HWN 可用于提供主系统时钟或音频采样时钟，提升系统响应速度和音视频处理质量。其小型化封装也便于在空间受限的设计中使用。

SiT8008BI-25-33E-50.000000Y
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