容量：4GB（Gigabytes）
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　封装：BGA（Ball Grid Array）
　　引脚数：186-Pin
　　工作电压：1.1V（VDD），2.5V/1.8V（VDDQ）
　　数据速率：最高可达4266 Mbps（具体取决于时钟频率）
　　时钟频率：最高2133 MHz（DDR时钟，即双倍数据速率）
　　数据宽度：x32（数据总线宽度）
　　封装尺寸：根据具体封装标准定义
　　温度范围：工业级温度范围（通常为-40°C至+85°C）
　　JEDEC标准：符合JEDEC LPDDR4标准
　　封装工艺：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）

H9TKNNN4GDMPLR-NGM是一款基于LPDDR4技术的高性能移动内存芯片，具备多项先进特性，适用于高端移动设备和嵌入式系统。首先，它支持高达4266 Mbps的数据传输速率，这使得它能够满足高性能处理器对内存带宽的需求，适用于运行复杂操作系统、多任务处理以及高性能图形处理的设备。其次，该芯片采用了双电压供电设计，核心电压为1.1V，I/O电压为2.5V或1.8V，这显著降低了功耗，延长了设备的电池寿命。
　　此外，H9TKNNN4GDMPLR-NGM采用x32的数据总线宽度，这在一定程度上提高了单颗芯片的存储密度和带宽效率，减少了PCB（印刷电路板）布局的复杂度。其186-pin FBGA封装设计不仅提供了良好的散热性能，还支持紧凑的主板布局，非常适合空间受限的移动设备。
　　该芯片还支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）、自刷新模式（Self-Refresh Mode）和预充电电源下降模式（Precharge Power-Down Mode），进一步优化了设备在待机或轻负载状态下的能耗表现。这些特性使得H9TKNNN4GDMPLR-NGM成为高端智能手机、平板电脑、AR/VR头显设备、车载信息娱乐系统等应用的理想内存解决方案。

H9TKNNN4GDMPLR-NGM主要应用于需要高性能、低功耗内存的移动和嵌入式设备中。其高带宽和低功耗特性使其非常适合用于高端智能手机和平板电脑，这些设备通常搭载高性能应用处理器，运行Android、iOS或其他复杂操作系统，要求快速的数据处理能力和高效的内存管理。
　　此外，该芯片也可用于车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）中的图形处理模块，以及工业控制和自动化设备中的嵌入式系统。由于其支持多种低功耗模式，因此也非常适合需要长时间运行且对电池寿命有较高要求的物联网（IoT）设备和可穿戴设备。
　　在移动计算设备中，如二合一平板电脑、超薄笔记本电脑等，H9TKNNN4GDMPLR-NGM可以作为主内存模块使用，以支持多任务处理、高清视频播放、大型游戏运行等高负载场景。

H9HKNNN8GAMULR-NDR，H9TQNNN8GAMULR-NDR，H9TPNNL8GDACUR-NGM，H9TRNNN8GDMULR-NEC