时间：2025/7/5 4:33:04
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CL31C821GBNC是一种高性能的功率MOSFET器件，基于先进的半导体制造工艺。该器件主要应用于需要高效率、低功耗和快速开关特性的电力电子领域。其设计优化了导通电阻与开关性能之间的平衡，从而能够显著提升系统的整体效率。
该MOSFET采用N沟道增强型结构，支持高频开关应用，并且具有较低的栅极电荷和输出电容特性，使其非常适合于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
型号：CL31C821GBNC
类型：N沟道功率MOSFET
封装形式：TO-263（D2PAK）
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：40A
导通电阻Rds(on)：3.5mΩ（在Vgs=10V时）
总栅极电荷Qg：37nC
输入电容Ciss：1920pF
输出电容Coss：145pF
反向传输电容Crss：33pF
工作温度范围：-55°C至+175°C
CL31C821GBNC具备卓越的电气性能和可靠性，以下是其主要特点：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 优化的栅极电荷Qg和输出电容Coss，确保快速的开关速度和低开关损耗。
3. 高电流承载能力，支持高达40A的连续漏极电流。
4. 耐雪崩能力强，能够在异常条件下提供额外保护。
5. 宽泛的工作温度范围，适用于各种恶劣环境下的工业及汽车级应用。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品对绿色材料的要求。
CL31C821GBNC因其出色的性能被广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
2. 各种类型的DC-DC转换器，如降压、升压和升降压拓扑。
3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
4. 电池管理系统中的负载切换和保护功能。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统，例如电动助力转向（EPS）、制动系统以及其他高压控制单元。
IRFZ44N
FDP5500
STP40NF06L
