CL31C821GBNC是一种高性能的功率MOSFET器件,基于先进的半导体制造工艺。该器件主要应用于需要高效率、低功耗和快速开关特性的电力电子领域。其设计优化了导通电阻与开关性能之间的平衡,从而能够显著提升系统的整体效率。
该MOSFET采用N沟道增强型结构,支持高频开关应用,并且具有较低的栅极电荷和输出电容特性,使其非常适合于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
型号:CL31C821GBNC
类型:N沟道功率MOSFET
封装形式:TO-263(D2PAK)
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:40A
导通电阻Rds(on):3.5mΩ(在Vgs=10V时)
总栅极电荷Qg:37nC
输入电容Ciss:1920pF
输出电容Coss:145pF
反向传输电容Crss:33pF
工作温度范围:-55°C至+175°C
CL31C821GBNC具备卓越的电气性能和可靠性,以下是其主要特点:
1. 极低的导通电阻Rds(on),可有效减少传导损耗,提高系统效率。
2. 优化的栅极电荷Qg和输出电容Coss,确保快速的开关速度和低开关损耗。
3. 高电流承载能力,支持高达40A的连续漏极电流。
4. 耐雪崩能力强,能够在异常条件下提供额外保护。
5. 宽泛的工作温度范围,适用于各种恶劣环境下的工业及汽车级应用。
6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品对绿色材料的要求。
CL31C821GBNC因其出色的性能被广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和充电器。
2. 各种类型的DC-DC转换器,如降压、升压和升降压拓扑。
3. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或步进电机。
4. 电池管理系统中的负载切换和保护功能。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统,例如电动助力转向(EPS)、制动系统以及其他高压控制单元。
IRFZ44N
FDP5500
STP40NF06L