K2689 时间：2025/8/9 14:17:20 阅读：35

K2689是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等高功率应用场景。K2689采用TO-220或类似的封装形式，具备良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：约50mΩ（典型值，具体取决于VGS）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：125W

特性

K2689的主要特性之一是其较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件能够承受高达30A的连续漏极电流，使其适用于高功率需求的应用场景。
　　K2689具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适合用于工业级和汽车电子系统中。其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的+10V至+15V驱动电压，兼容多种驱动电路设计。K2689的快速开关特性也使其在高频开关电源和PWM控制电路中表现出色，有助于减小外部元件尺寸并提高响应速度。

应用

K2689常用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及工业自动化控制系统。由于其高电流能力和低导通损耗，该器件在需要高效能和高可靠性的应用中表现出色，例如电动车、电动工具、储能系统和电源适配器等。
　　在电源设计中，K2689可以作为主开关元件用于Boost、Buck、Flyback等拓扑结构，提供高效的能量转换。在电机控制中，它可以作为H桥或单向驱动开关，实现对电机速度和方向的精确控制。