K2651 时间：2025/8/9 14:11:25 阅读：31

K2651 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高电流和高功率的应用场合，例如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。K2651 通常采用 TO-264 或 TO-220 封装形式，具备良好的散热性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：30A
　　最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约 0.045Ω
　　功率耗散：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-264 或 TO-220

特性

K2651 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其次，该器件的最大漏极电流可达 30A，能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度设计。此外，K2651 的最大漏源电压为 60V，具有良好的耐压能力，能够适应多种输入电压条件。
　　K2651 采用先进的硅工艺和封装技术，确保在高工作温度下依然保持稳定性能。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 和 12V 驱动电压，简化了驱动电路的设计。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和短路保护特性，增强了系统可靠性。
　　在封装方面，K2651 提供 TO-264 或 TO-220 两种选项，前者具备更佳的散热能力，适用于大功率应用；后者则更适合空间受限的 PCB 设计。整体来看，K2651 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，适用于多种工业和消费类电子设备。