型号：K2272
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：7A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　功耗（Pd）：125W（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.65Ω（Max 0.85Ω @ Vgs=10V, Id=3.5A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

K2272采用东芝专有的高压沟槽栅极技术，实现了低导通电阻与高击穿电压之间的优异平衡。其Rds(on)在室温下典型值仅为0.65Ω，在500V耐压等级的MOSFET中属于较低水平，有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为50nC，这使得其在高频开关应用中具有更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合用于工作频率在几十kHz到上百kHz的开关电源设计。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性，其最大功耗可达125W（在壳温25℃条件下），结合TO-220封装良好的热传导性能，可通过外接散热片有效管理热量，确保长时间高负载运行下的可靠性。同时，K2272的雪崩能量额定值经过严格测试，具备一定的抗过压冲击能力，可在意外电压尖峰出现时保护器件不被损坏，从而提升整个系统的耐用性。
　　器件的阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保在标准逻辑电平或专用驱动电路下均可实现可靠开启。此外，K2272对米勒效应进行了优化设计，降低了栅漏电容（Crss），从而减少了开关过程中的寄生导通风险，提升了高频工作的稳定性。其漏源击穿电压最小为500V，实际应用中可承受一定的电压裕量，适合用于离线式反激变换器或有源钳位电路中。
　　由于采用了成熟的硅基工艺和严格的品质控制流程，K2272在不同批次间具有一致的电气特性和可靠性表现，适用于工业级和消费级产品的大批量生产。其封装符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造趋势。

K2272广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，如AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源和小型逆变器等。在反激式（Flyback）拓扑结构中，它常作为主开关管使用，承担能量传递和电压变换的核心功能，得益于其500V的耐压能力和较低的导通电阻，可在宽输入电压范围内高效运行。
　　在DC-DC变换器中，特别是在升压（Boost）或半桥拓扑中，K2272可用于实现高效的能量转换，适用于太阳能微逆变器、电池管理系统和便携式设备电源模块等场景。此外，在电机控制领域，该器件也可作为H桥电路中的开关元件，用于驱动中小型直流电机或步进电机，提供精确的速度和方向控制。
　　工业自动化设备中的电源模块、继电器驱动电路以及电磁阀控制单元也常采用K2272，因其具备较强的抗干扰能力和稳定的开关特性，能够在恶劣电磁环境中保持正常工作。在照明系统中，尤其是高强度气体放电灯（HID）或大功率LED阵列的驱动电路中，K2272可作为功率开关实现恒流控制和调光功能。
　　此外，该器件还可用于UPS不间断电源、家用电器（如空调、洗衣机）的电源部分以及各类工业电源模块中，作为关键的功率切换元件。其高可靠性和成熟的供应链使其成为许多设计师在500V级别MOSFET选型中的优选之一。

2SK2272
　　TK2272N