时间：2025/7/12 15:25:52
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PST75128ETV 是一款基于高压工艺设计的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的半导体制造技术，能够在高电压环境下提供优异的开关性能和低导通电阻。其主要应用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域，适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
该器件具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速的开关速度，同时具备强大的雪崩能力，能够承受瞬态过压情况下的能量冲击。此外，它还集成了多种保护功能，例如静电放电 (ESD) 保护和热关断保护，以确保在恶劣工作条件下的稳定性和安全性。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：43A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：68nC
输入电容：1950pF
反向传输电容：35pF
功耗：320W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
PST75128ETV 的核心特性包括以下几点：
1. 高效低阻：其导通电阻仅为 2.8mΩ，可显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关：具备较低的栅极电荷和优化的开关时间，适用于高频开关应用。
3. 高可靠性：集成 ESD 保护电路，并具备出色的雪崩能力和热稳定性。
4. 广泛的工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +175℃ 的极端环境，适应多种工业场景。
5. 小封装：采用 TO-220 封装形式，方便安装并节省空间。
6. 符合 RoHS 标准：环保无铅设计，满足现代电子产品的绿色要求。
PST75128ETV 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- AC/DC 转换器
- DC/DC 转换器
2. 电机驱动：
- 无刷直流电机 (BLDC)
- 步进电机控制
3. 工业自动化：
- 电磁阀控制
- 继电器驱动
4. 汽车电子：
- 车载充电器
- 电动车窗及座椅调节
5. 电池管理系统 (BMS)：
- 放电保护
- 负载均衡
PST75128E6T, IRFZ44N, FDP5500
