时间：2025/8/9 11:18:33
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K2253是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。适用于各种需要高效能功率控制的电子设备，例如电源适配器、电机控制器、DC-DC转换器以及负载开关电路。K2253通常封装在TO-220或TO-252等标准功率封装中，便于散热和安装。
类型：N沟道
漏源电压(VDS)：500V
漏极电流(ID)：9A
导通电阻(RDS(ON))：≤0.85Ω @ VGS=10V
栅极电压(VGS)：±30V
工作温度：-55℃~150℃
封装类型：TO-220/TO-252
K2253具有多项优异的电气和热性能。首先，其最大漏源电压为500V，能够承受高电压应力，适用于中高功率应用。其次，导通电阻较低，在10V栅极驱动电压下不超过0.85Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，K2253的漏极电流能力为9A，能够在较高负载条件下稳定工作。该器件还具备良好的开关特性，具有较低的输入电容和快速的开关时间，适用于高频开关应用。K2253的封装设计有助于良好的散热性能，提高了器件在高温环境下的可靠性。
另外，K2253具有较高的抗雪崩能力，能够在突发的电压浪涌条件下保持稳定运行。该MOSFET的栅极耐压能力为±30V，允许一定的驱动电压波动而不损坏器件。其工作温度范围宽广，可在-55℃至150℃之间正常运行，适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境。
K2253常用于多种功率电子系统中，如开关电源(SMPS)、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明驱动电路以及电池管理系统。在电源管理应用中，K2253可用于高效的功率开关，实现能量的高效转换与分配。此外，它还可用于逆变器、UPS（不间断电源）、负载开关以及各种工业控制设备中。由于其良好的热稳定性和高耐压特性，K2253也适用于需要长期稳定运行的工业和家电产品中。
K2645, K2225, IRF840, FQA9N50
