IRF7379ITR 时间：2025/6/25 8:39:34 阅读：5

IRF7379ITR是来自英飞凌（Infineon）的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的Trench技术，能够提供更低的导通电阻和更高的效率。IRF7379ITR主要应用于需要高效率和低功耗的开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。其出色的电气性能使其成为众多功率应用的理想选择。
　　该器件封装形式为TO-252 (DPAK)，具备较高的电流处理能力和良好的散热性能。

参数

最大漏源电压Vds：60V
　　栅极阈值电压Vgs(th)：1.4V~2.8V
　　最大漏极电流Id：42A
　　导通电阻Rds(on)：2.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　总功耗Ptot：320W
　　工作温度范围Tj：-55℃~175℃

特性

IRF7379ITR具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗，提高整体系统效率。
　　2. 高电流能力，适合大功率应用场景。
　　3. 较高的开关速度，能够在高频条件下保持高效运行。
　　4. 符合RoHS标准，绿色环保。
　　5. 提供了优异的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境。
　　6. 封装形式紧凑，易于集成到各类设计中。

应用

IRF7379ITR广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）设计中的同步整流。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关。
　　3. 电机驱动电路，用于控制电机的速度和方向。
　　4. 负载切换和保护电路。
　　5. 电池管理系统中的功率管理。
　　6. 各类工业自动化设备中的功率转换与控制。