时间：2025/8/9 8:58:57
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K2213-01S 是一款由韩国公司 KEI（Korea Electronics）生产的功率MOSFET晶体管，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。K2213-01S 通常应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及各种高效率开关电源系统中。该器件采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，适用于表面贴装（SMT）工艺。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A
导通电阻（Rds(on)）：≤2.8mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
K2213-01S 具备优异的导通性能和高电流处理能力，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式技术，提升了单位面积内的载流能力，从而实现更高的功率密度。此外，K2213-01S 的封装设计具有良好的热管理能力，有助于在高负载条件下维持稳定的工作温度。
该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器等。其高栅极驱动兼容性使其能够与常见的PWM控制器或驱动IC无缝配合。此外，K2213-01S 还具有较强的抗雪崩能力和较高的可靠性，适用于工业级和汽车电子应用。
在制造工艺方面，K2213-01S 采用无铅封装技术，符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计需求。
K2213-01S 广泛应用于各类高功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、逆变器、LED驱动器、服务器电源模块、工业自动化控制系统以及新能源汽车中的功率转换模块等。由于其优异的导通特性和高电流能力，该器件在需要高效能功率转换的场景中表现尤为出色。
IRF1405、SiR142DP、AUIRF1405、IPD180N06S4-07
