型号：2SK2791
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.8A
　　脉冲漏极电流（Idm）：23A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大14mΩ @ Vgs=10V, Id=3A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大20mΩ @ Vgs=4.5V, Id=3A
　　栅极阈值电压（Vth）：典型值1.6V，范围1.0~2.3V
　　输入电容（Ciss）：约1200pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　输出电容（Coss）：约350pF
　　反向传输电容（Crss）：约80pF
　　最大功耗（Pd）：2W（取决于PCB布局和散热条件）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23 或 SOT-323（具体以数据手册为准）

2SK2791具备多项优异的电气与物理特性，使其在同类N沟道MOSFET中脱颖而出。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其在大电流负载下表现尤为明显。在Vgs=10V时，Rds(on)最大仅为14mΩ，而在4.5V驱动电压下也能控制在20mΩ以内，这意味着即使在低电压驱动环境中（如由逻辑IC直接驱动），该器件仍能保持较高的效率。这一特性对于电池供电设备或追求能效的应用至关重要。
　　其次，2SK2791采用了先进的沟槽型工艺结构，优化了载流子迁移路径，从而提升了器件的跨导和开关速度。快速的开关响应减少了开关过程中的交越时间，进而降低了开关损耗，使器件更适合高频开关电源应用。同时，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）进一步增强了其高频性能，减少了驱动电路的负担，有利于简化驱动设计并提升整体系统效率。
　　第三，该器件具有良好的热稳定性与可靠性。其最大工作结温可达150°C，并具备过温保护设计倾向，能够在高温环境下持续工作而不易发生热失控。结合其小型表面贴装封装，2SK2791可通过合理的PCB铜箔布局实现有效散热，满足紧凑型电源对高功率密度的需求。
　　此外，2SK2791具备较强的抗静电能力（ESD）和栅极耐压能力（±20V Vgs），提高了器件在实际装配与运行中的鲁棒性。其漏源击穿电压为30V，足以应对大多数低压直流系统的瞬态波动。综合来看，这些特性使得2SK2791不仅性能优越，而且在可靠性、效率和设计灵活性方面均表现出色，适用于多种严苛工作环境下的功率开关任务。

2SK2791广泛应用于各类中低功率电源管理系统中，尤其是在对效率、体积和成本有较高要求的消费类电子产品中表现突出。一个典型的应用场景是同步整流型DC-DC转换器，其中2SK2791作为主开关管或同步整流管使用，利用其低Rds(on)特性显著降低传导损耗，提高转换效率。此类应用常见于笔记本电脑主板、平板电脑电源模块以及USB PD充电器等便携式设备中。
　　此外，该器件也常用于负载开关电路，用于控制电源域的通断，实现节能待机模式或热插拔功能。由于其快速的开关能力和低静态电流消耗，非常适合用于移动设备中的电源管理单元（PMU）后级开关。在电机驱动领域，2SK2791可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关元件，提供高效的驱动能力。
　　在LED背光驱动和恒流源电路中，2SK2791也可作为开关调节元件，配合电感和控制器实现升压或降压式恒流输出，广泛应用于LCD显示器和照明系统中。同时，由于其良好的高频响应特性，该器件也被用于隔离式反激变换器的初级侧开关或次级侧同步整流，特别是在小功率适配器和开放式电源中。
　　工业控制领域中，2SK2791可用于传感器供电开关、继电器驱动接口或PLC模块中的信号切换电路。其稳定的电气性能和宽温工作范围使其适应工业现场复杂的工作环境。综上所述，2SK2791凭借其高效、可靠和小型化的优势，已成为众多电源与功率控制应用中的关键元器件。

2SK3018
　　Si2301DS
　　AO3400
　　FDS6670A
　　BSS138