2SJ238 时间：2025/8/2 8:02:52 阅读：43

2SJ238 是一款 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电路以及功率放大器等应用。该晶体管具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于中高功率的电子系统。2SJ238 通常采用 TO-220 或 TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：150V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：5A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：约 0.65Ω @ Vgs = -10V
　　功率耗散（Pd）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-252

特性

2SJ238 作为一款经典的 P 沟道 MOSFET，具有出色的开关特性和耐压能力，适用于多种电源控制场景。其最大漏源电压为 150V，能够在较高电压环境下稳定工作。该器件的导通电阻约为 0.65Ω，在同类器件中表现良好，有助于降低导通损耗，提高电源效率。此外，其最大漏极电流为 5A，支持中等功率级别的负载控制。2SJ238 的栅极驱动电压范围较宽，可在 -10V 至 -20V 之间正常工作，便于与不同类型的驱动电路匹配。该器件具备良好的热稳定性，封装形式如 TO-220 和 TO-252 提供了较好的散热性能，适用于需要长时间稳定运行的电源系统。
　　2SJ238 的结构设计使其具有较高的抗静电能力和热稳定性，能够在复杂电磁环境中保持稳定运行。此外，其栅极氧化层经过优化设计，能够承受较高的电压应力，减少因电压突变导致的损坏风险。该器件的漏极和源极之间具有良好的隔离性能，确保在高电压切换过程中保持良好的绝缘特性，防止漏电流过大影响电路性能。

应用

2SJ238 广泛应用于各类电源管理电路中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关以及电机驱动电路等。其高耐压和良好的导通特性使其适合用于中高功率的开关控制。此外，该器件也常用于音频放大器中的电源控制部分，以提供稳定的电源切换和保护功能。在工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统中，2SJ238 也常用于驱动继电器、LED 灯组或小型电机等负载。由于其封装形式便于安装和散热，因此在需要高效能和高可靠性的应用场景中尤为受欢迎。