K1CK024W 时间：2025/12/28 9:36:12 阅读：32

K1CK024W是一款由英飞凌（Infineon） Technologies推出的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温应用环境设计。该器件基于先进的碳化硅材料技术，具有出色的热性能和电气特性，适用于要求严苛的电源转换系统。K1CK024W属于CoolSiC?系列，该系列产品以低开关损耗、高可靠性以及优异的反向恢复特性著称。这款二极管采用TO-247封装，具备良好的散热能力和机械稳定性，适合在工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及不间断电源（UPS）等高端电力电子设备中使用。其无反向恢复电荷的特性显著降低了开关过程中的能量损耗，从而提高了整体系统的能效。此外，该器件对dv/dt噪声具有较强的抗扰能力，有助于减少电磁干扰（EMI），简化滤波电路设计。K1CK024W可在高达175°C的结温下稳定工作，展现出卓越的热管理性能，能够在恶劣环境下长期可靠运行。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：650 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：24 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：180 A
　　正向电压降（VF）：1.7 V（典型值，@ IF = 24 A, TJ = 25 °C）
　　反向漏电流（IR）：100 μA（典型值，@ VR = 650 V, TJ = 25 °C）
　　结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装形式：TO-247-3

特性

K1CK024W的核心优势在于其采用的碳化硅半导体材料所带来的卓越电学与热学性能。与传统的硅基二极管相比，碳化硅材料具有更高的禁带宽度（约3.2 eV），这使得器件在高温环境下仍能保持较低的反向漏电流，从而提升了高温工作的稳定性与可靠性。该器件没有少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），也无反向恢复电流尖峰，这一特性极大地减少了开关过程中的动态损耗，尤其是在高频开关电源应用中效果显著。由于没有反向恢复行为，K1CK024W还能有效抑制因换流引起的电压振荡和电磁干扰，降低对栅驱动电路的应力，提升整个功率系统的EMI表现。
　　另一个关键特性是其低正向导通压降。尽管碳化硅二极管通常比硅快恢复二极管有稍高的VF，但K1CK024W通过优化的元胞设计和掺杂工艺，在保证高耐压的同时将VF控制在1.7V左右（@24A, 25°C），实现了导通损耗与开关损耗之间的良好平衡。随着工作温度升高，其VF变化较小，且反向漏电流增长缓慢，确保了在不同负载和温度条件下的稳定性能。
　　TO-247封装提供了优良的热传导路径，便于安装散热器，支持大电流连续工作。引脚布局符合行业标准，兼容现有硅基二极管的PCB设计，方便用户进行产品升级或替换。此外，该器件符合RoHS环保要求，并通过了AEC-Q101等可靠性认证，适用于汽车级和工业级应用场景。

应用

K1CK024W广泛应用于各类高效能电力电子系统中，尤其适用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的场合。在太阳能光伏逆变器中，它常用于直流链路的升压级（boost stage）或作为续流二极管，利用其零反向恢复特性显著提升转换效率并降低散热需求。在车载充电机（OBC）和直流快充桩中，该器件可用于PFC（功率因数校正）电路，帮助实现超过98%的系统效率。在工业SMPS（开关模式电源）和服务器电源中，K1CK024W可替代传统超快恢复二极管，减少开关损耗，提高开关频率，从而缩小磁性元件体积，提升功率密度。
　　此外，该器件也适用于UPS（不间断电源）、电机驱动器和感应加热系统。在这些应用中，高频操作和紧凑设计是关键要求，而K1CK024W的低损耗和高结温能力正好满足这些需求。其优异的热稳定性还使其能在密闭或自然冷却环境中长期运行，减少了强制风冷的需求，降低了系统噪音和维护成本。对于追求绿色能源和节能减排的应用场景，K1CK024W提供了理想的解决方案，助力实现更高能效等级的产品设计。