时间：2025/12/27 8:53:56
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1N65G-K08-5060-R 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的表面贴装肖特基二极管阵列，专为高频、高速开关应用设计。该器件采用先进的平面技术制造，具有优良的电气性能和可靠性，适用于需要低正向压降和快速恢复时间的电路中。其封装形式为 SOT-23（Small Outline Transistor），是一种小型化的表面贴装封装，便于在高密度印刷电路板（PCB）上进行自动化组装。该型号中的‘1N65G’代表其基本器件类型，符合 JEDEC 标准命名；‘K08’可能表示内部连接配置或批次信息；‘5060’通常与卷带包装规格相关；‘R’则表明其为卷带包装（Tape and Reel），适合自动贴片机使用。这款二极管广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路、信号整流、极性保护以及高频逆变器等场景。由于其低功耗特性和紧凑尺寸，特别适合对空间和能效有严格要求的设计。
类型：肖特基二极管阵列
封装/外壳：SOT-23
配置：双二极管（Dual Diode）
最大重复反向电压（VRRM）：60 V
最大平均整流电流（Io）：200 mA
正向电压（VF）典型值：0.35 V @ 10 mA
峰值反向电流（IR）：5 μA @ 60 V
工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +125 °C
储存温度范围：-65 °C 至 +150 °C
反向恢复时间（trr）：≤ 4 ns
安装类型：表面贴装（SMD）
包装形式：卷带（Tape and Reel）
1N65G-K08-5060-R 采用高性能肖特基势垒技术，具备极低的正向导通压降，显著降低了功率损耗，提高了系统效率。其正向电压典型值仅为 0.35V，在 10mA 工作电流下即可实现高效整流，非常适合用于低压直流电路中的能量转换与管理。该器件的反向恢复时间极短（≤4ns），表现出优异的高频响应能力，能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器及射频信号处理等应用场合。
该二极管阵列为双二极管结构，可根据电路需求配置为共阴极或独立使用，提供灵活的设计选择。其 SOT-23 小型化封装不仅节省 PCB 空间，还具备良好的热稳定性和机械强度，适合自动化贴片生产流程。器件在整个工作温度范围（-55°C 至 +125°C）内保持稳定的电气性能，确保在恶劣环境下的长期可靠性。此外，1N65G-K08-5060-R 符合 RoHS 指令要求，无铅且环保，满足现代电子产品对绿色制造的需求。其低漏电流特性（最大 5μA @ 60V）进一步提升了在待机或低功耗模式下的能效表现，适用于电池供电设备如智能手机、可穿戴设备和物联网终端。
该器件常用于便携式消费类电子产品中的电源轨保护与电压箝位，例如在 USB 接口、锂电池充放电管理模块中防止反向电流损坏主控芯片。在 DC-DC 转换电路中，它可作为同步整流辅助二极管或续流二极管使用，提升转换效率并降低温升。此外，1N65G-K08-5060-R 也广泛应用于信号解调、逻辑电平移位、ESD 保护网络以及高频振荡器中的隔离与整形功能。其快速响应特性使其成为射频前端模块和无线通信设备中理想的信号路径控制元件。在工业控制与汽车电子领域，该二极管可用于传感器接口电路的瞬态抑制和极性容错设计，保障系统的安全运行。
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"BAT54S",
"BAS70-04",
"SMS7621",
"RB520S30",
"PMG2801"
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