时间：2025/4/28 10:32:05
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DMN61D8L 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，由 Diodes 公司生产。该器件采用微型封装设计（DFN2020-6），非常适合空间受限的应用场景。DMN61D8L 的工作电压范围为 30V，具有低导通电阻特性，使其在功率转换、负载开关和电池供电设备中表现出色。
此 MOSFET 专为高效能和小尺寸应用而优化，广泛用于消费类电子、通信设备及计算机周边产品等领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.4A
导通电阻（Rds(on)）：27mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：1.9nC（典型值）
总功耗：400mW
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：DFN2020-6
DMN61D8L 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 小巧的 DFN2020-6 封装，节省 PCB 空间。
3. 高速开关性能，适合高频应用。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的耐用性。
DMN61D8L 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关。
2. 便携式电子设备的电源管理。
3. USB 接口保护和控制。
4. DC-DC 转换器和电压调节模块。
5. 数字音频放大器中的开关元件。
6. 各种电池供电设备中的功率管理电路。
DMN6048L, DMN61D6L
