时间：2025/8/10 18:28:59
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HM66AQB36104BP50 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片专为高性能计算、图形处理和存储扩展应用而设计，具备较大的存储容量和较快的读写速度，适用于需要高速数据访问的系统。HM66AQB36104BP50采用先进的半导体制造工艺，确保在高频操作下的稳定性和可靠性，广泛用于计算机显卡、服务器内存、工业控制设备和嵌入式系统等领域。
容量：256MB
类型：DRAM
封装类型：BGA（Ball Grid Array）
数据总线宽度：16位
工作电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：异步
封装尺寸：54引脚
制造厂商：Hynix
HM66AQB36104BP50 是一款高性能的异步DRAM芯片，具有256MB的存储容量，适用于需要较大内存缓冲和高速数据访问的电子系统。该芯片采用16位数据总线宽度，支持较宽的数据传输带宽，能够在高频环境下稳定运行。由于其异步接口设计，无需依赖系统时钟信号，因此在不同主频的系统中都能保持良好的兼容性。
HM66AQB36104BP50 的BGA封装形式不仅提供了良好的散热性能，还减小了PCB布局的空间需求，适合高密度电路设计。此外，该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），使其适用于多种电源管理系统，并能在恶劣环境下保持稳定运行。
该DRAM芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于工业控制、嵌入式系统、通信设备和消费类电子产品。其高可靠性和长寿命设计也使其成为需要长时间运行的系统中的理想选择。
HM66AQB36104BP50 常用于需要高速存储扩展的应用场景，如图形加速卡、网络路由器、工业控制器、嵌入式系统以及高端消费电子产品。该芯片可作为缓存或主存储器使用，提升系统的数据处理能力和响应速度。
HM66AQB36104BP50 可以被以下型号替代：HMS365K36104BP50、TC55V16104BC-80、CY62167EV30LL-45BVXIT。
