K1279 时间：2025/8/9 11:59:42 阅读：18

K1279 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等电子系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于需要高效能和紧凑设计的电源应用。K1279通常封装在小型表面贴装封装（如SOP或DFN封装）中，便于自动化组装并节省PCB空间。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：1.5A
　　最大漏-源电压（Vds）：30V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.13Ω（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP8 / DFN1010

特性

K1279的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在导通状态下功率损耗大大降低，从而提高了整体系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。K1279的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V的栅极驱动电压，因此适用于多种控制电路设计。该器件还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高响应速度。
　　该MOSFET的封装设计支持表面贴装工艺，提高了生产效率并降低了整体系统成本。同时，K1279具备良好的抗静电能力（ESD）和过热保护特性，能够在较为严苛的工作环境中可靠运行。其优异的电气性能和可靠性使其成为便携式设备、工业控制设备、通信设备和汽车电子系统中的理想选择。

应用

K1279常用于DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、负载开关、LED驱动器、电机驱动电路以及各种低电压高效率电源系统中。由于其低导通电阻和高集成度，该器件也广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中的电源管理模块。此外，K1279还可用于工业自动化控制系统的开关电源和信号处理电路。