SH31B474K250CT是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中。其额定电压为250V,能够满足多种工业及消费类电子设备的需求。
SH31B474K250CT在设计时充分考虑了效率与可靠性,使其成为需要高效能功率转换应用的理想选择。此外,该器件具备较低的栅极电荷和输出电容,有助于减少开关损耗并提高整体系统性能。
型号:SH31B474K250CT
类型:N沟道功率MOSFET
封装:TO-263
额定电压:250V
额定电流:47A
导通电阻:0.047Ω
最大功耗:188W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
栅极电荷:90nC
输入电容:1200pF
反向恢复时间:15ns
SH31B474K250CT具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 出色的热稳定性,能够在极端温度条件下保持稳定运行。
4. 小型化封装,便于PCB布局优化。
5. 良好的电气隔离性能,确保电路的安全性和可靠性。
6. 支持大电流负载,适用于各类功率转换场景。
7. 具有较强的抗干扰能力,适合复杂电磁环境下的使用需求。
8. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
SH31B474K250CT主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的功率级开关。
2. 直流-直流(DC-DC)转换器的核心元件。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
6. 各种保护电路,如过流保护、短路保护等。
7. 汽车电子系统中的负载切换和功率管理功能。
由于其出色的性能,SH31B474K250CT特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
IRFZ44N, FQP47P06, STP45NF06