JXP2N7002VRG是一种高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效功率转换和开关操作的场景。该器件属于N沟道增强型MOSFET,采用先进的制造工艺以确保低导通电阻和快速开关性能。其封装形式通常为TO-252或DFN8,具体视厂商而定。这种MOSFET适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。
由于其高耐压和低导通电阻特性,JXP2N7002VRG在各类电子设备中表现优异,尤其是在需要高频开关和高效率的应用场合。
最大漏源电压:700V
最大连续漏极电流:2.6A
导通电阻:1.4Ω
栅极电荷:35nC
开关时间:ton=45ns, toff=90ns
工作结温范围:-55℃至150℃
JXP2N7002VRG具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:额定漏源电压高达700V,适合高压应用环境。
2. 低导通电阻:在同类产品中具备较低的导通电阻(1.4Ω),有助于减少功率损耗。
3. 快速开关速度:较小的栅极电荷和优化的内部结构使其能够实现高速开关操作,减少开关损耗。
4. 宽温度范围:能够在-55℃至150℃的工作结温范围内稳定运行,适应各种极端环境。
5. 可靠性高:经过严格测试,具备良好的长期稳定性和可靠性。
JXP2N7002VRG广泛应用于以下领域:
1. 开关电源:用于AC-DC或DC-DC转换器中的功率开关。
2. 电机驱动:控制直流电机或步进电机的运行状态。
3. 电池保护电路:防止过充、过放及短路等异常情况。
4. 固态继电器:作为电子开关替代传统机械继电器。
5. 工业自动化:在工业控制设备中用作功率开关元件。
IRF740,
STP75NF06,
FDP5800,
IXFN100N75T