类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：160A（在Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：约2.5mΩ（典型值，具体取决于测试条件）
　　最大功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

JX2N6786具有多项优异的电气特性和物理特性，适合高效率、高功率密度的应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其次，该器件具备高电流承载能力，最大连续漏极电流可达160A，使其适用于高功率负载场景。此外，JX2N6786的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间均可稳定工作，适应性强。其快速开关特性也降低了开关损耗，适用于高频开关应用。JX2N6786采用TO-263（D2PAK）或TO-220等封装形式，具备良好的散热性能，适用于工业级工作温度范围（-55℃至+175℃），提高了系统的稳定性和可靠性。
　　JX2N6786还内置了热保护和过载保护功能，能够在异常工作条件下保护器件免受损坏。其高耐压性能（Vds=30V）使其适用于多种低压高功率应用，如电动工具、电动车控制器、电源管理模块等。此外，该器件的封装设计便于安装在散热器上，进一步提升了其在高功率环境下的散热能力，确保长时间运行的稳定性。

JX2N6786主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、功率放大器、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及电动车控制器等领域。由于其高电流能力、低导通电阻和良好的热性能，JX2N6786特别适用于需要高效能和高可靠性的功率电子设备。

SiHF60N30E、IRF1405、FDP160N30A、IPW60R024C6、STP150N3LL