类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：8A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.85Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

T6406M MOSFET具备多个显著的性能特点。首先，其高耐压能力（最大600V）使其非常适合用于高电压电源转换器和电机驱动器等应用。其次，该器件的最大连续漏极电流为8A，能够支持较高功率负载的需求。此外，T6406M的栅源电压范围为±30V，具有较高的栅极驱动兼容性，能够与多种控制电路配合使用。
　　该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）典型值为0.85Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。同时，其热阻较低，能够在高负载条件下保持良好的热稳定性，避免因过热而导致性能下降或损坏。
　　在封装方面，T6406M采用标准的TO-220封装，这种封装形式不仅具备良好的散热性能，还便于在PCB上安装和焊接，广泛应用于各种工业和消费类电子设备中。
　　另外，T6406M具有快速开关特性，适合用于高频开关电路，能够有效减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。这使得它在电源适配器、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电机控制以及照明系统中具有广泛的应用前景。

T6406M MOSFET主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中。例如，在电源管理领域，它可用于构建高效的AC-DC和DC-DC转换器，提供稳定的电压输出。在电机控制方面，T6406M可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的速度和方向控制。
　　此外，该器件也适用于工业自动化设备中的功率开关电路，如PLC（可编程逻辑控制器）中的输出模块。在照明系统中，T6406M可用于LED驱动器或气体放电灯的电子镇流器设计。
　　由于其良好的热稳定性和高可靠性，T6406M还被广泛应用于UPS（不间断电源）、逆变器以及各类工业电源设备中，确保在高负载和复杂环境下的稳定运行。

STP8NK60Z, FQP8N60C, IRFBC40