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JX2N45 发布时间 时间:2025/9/2 15:23:24 查看 阅读:8

JX2N45是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电路和功率转换等领域。该器件以其高效率、低导通电阻和良好的热稳定性而闻名,适用于需要高电流和高电压处理能力的场景。JX2N45通常采用TO-220或TO-252等封装形式,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):450V
  最大漏极电流(Id):2A
  导通电阻(Rds(on)):2.5Ω @ Vgs=10V
  栅极电压(Vgs):±20V
  最大功率耗散(Pd):50W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220 / TO-252

特性

JX2N45 MOSFET具有多项优异的电气和热性能。其高耐压特性(450V)使其适用于高压开关应用,如电源适配器、充电器和LED驱动电路。该器件的低导通电阻(Rds(on)为2.5Ω)确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗,从而提高系统效率。此外,JX2N45具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,增强了系统的可靠性。
  该MOSFET还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,减少了开关损耗,提高了响应速度。其栅极驱动电压范围宽(±20V),兼容多种驱动电路设计,便于集成到不同的电子系统中。JX2N45的封装设计优化了散热性能,使得在高功率应用中也能保持良好的热管理。
  由于其高可靠性和稳定性,JX2N45广泛应用于各类工业和消费类电子产品中,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合,如开关电源、马达控制和DC-DC转换器等。

应用

JX2N45 MOSFET主要应用于以下领域:电源管理系统、开关电源(SMPS)、LED驱动电路、充电器、马达控制、DC-DC转换器以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高压和高可靠性特性,特别适合于需要高效能和稳定性的电源设计。

替代型号

2N45N, IRF740, 2SK2645

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