PACDN045YB6R 时间：2025/8/4 14:30:24 阅读：25

PACDN045YB6R 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率晶体管。该器件专为高效功率转换应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电源管理系统、电机控制和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，确保在高电流和高频操作条件下仍能保持稳定性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：115A
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V：4.5mΩ（最大）；@2.5V：6.2mΩ（最大）
　　功耗（Ptot）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　引脚数：8
　　技术：TrenchMOS

特性

PACDN045YB6R 的核心优势在于其卓越的导通性能和高效的开关能力，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。其低导通电阻确保在高电流工作状态下仍能保持较低的功率损耗，从而减少散热需求并提升整体系统可靠性。
　　此外，该MOSFET具有宽泛的工作温度范围，可在极端环境下稳定运行，适用于汽车电子、工业自动化和高可靠性应用。栅极驱动电压兼容性良好，支持2.5V至4.5V的栅极驱动电压，适用于多种控制电路设计。
　　该器件还具备优良的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压冲击，从而增强系统的稳定性与安全性。同时，其先进的TrenchMOS技术提供了更高的单位面积电流密度，使得在相同尺寸下性能更优。
　　在封装方面，PowerFLAT 5x6 封装提供了良好的热管理性能，并且采用无铅封装工艺，符合RoHS和REACH环保标准，适合现代电子制造的环保要求。

应用

PACDN045YB6R 主要应用于需要高效功率转换和管理的场景，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车辆的功率控制模块、服务器和通信设备的电源系统、工业电机驱动器、负载开关控制电路以及高性能电源供应器等。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、48V轻混系统中的功率转换电路、车身电子控制模块等，其高可靠性和耐久性确保在复杂电磁环境和温度波动下仍能稳定运行。
　　在工业应用中，该MOSFET适用于自动化设备的电源管理和控制电路，如PLC模块、伺服驱动器和智能电表等。此外，它也广泛用于高功率LED照明系统的开关电源中，提供高效的能量转换解决方案。