您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DTC323TKT146

DTC323TKT146 发布时间 时间:2025/12/23 16:45:42 查看 阅读:14

DTC323TKT146是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用TO-263封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及DC-DC转换器等领域。它具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  这款MOSFET通常被用作N沟道增强型场效应晶体管,支持快速开关操作,同时具备出色的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:28nC
  开关时间:开通延迟时间11ns,关断下降时间29ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

DTC323TKT146采用了先进的半导体制造工艺,确保其在高频开关应用中表现优异。其低导通电阻有助于减少传导损耗,从而提高整体效率。
  此外,该器件具备良好的热性能,能够在高电流条件下保持稳定运行。其封装形式TO-263提供了高效的散热路径,并且易于安装在PCB板上。
  该MOSFET还具有较强的抗浪涌能力和鲁棒性,可应对复杂的电气环境。这些特点使其非常适合用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的高效功率管理场景。

应用

DTC323TKT146适用于多种功率转换和控制场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 负载开关
  5. 电池保护电路
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块
  凭借其出色的电气特性和可靠性,这款MOSFET成为了许多工程师设计中的首选元件。

替代型号

DTC323TKT147, DTC323TKT148

DTC323TKT146推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DTC323TKT146资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

DTC323TKT146产品

DTC323TKT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)15V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)80mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换200MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC323TKT146TR