时间：2025/9/3 0:40:48
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JX2N3444是一款常见的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适用于多种中高功率应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：5A
最大功耗(Pd)：40W
导通电阻(Rds(on))：约0.65Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
JX2N3444具备优异的导通性能和较低的导通电阻，能够在高电压和高电流环境下稳定工作。其TO-220封装形式有助于有效散热，提高器件的可靠性。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，适合多种驱动电路设计。
该器件的热阻较低，能够在较高的环境温度下保持良好的工作性能。JX2N3444还具有较强的抗过载能力，能够承受短暂的过电流和过热冲击，适用于要求较高的工业控制和电源管理应用。
JX2N3444的开关特性优良，导通和关断时间较短，有助于减少开关损耗并提高系统的整体效率。其结构设计确保了在高频工作下的稳定性，适合用于DC-DC转换器、电机控制和负载开关等电路。
JX2N3444常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关、功率放大器以及各种电源管理模块。由于其良好的电气性能和热稳定性，该器件也常见于工业控制设备、自动化系统和消费类电子产品中。
IRFZ44N, FQP5N60, 2N6764, STP5NK60Z
