类型：LDMOS射频功率晶体管
　　频率范围：850 - 950 MHz
　　输出功率：典型值90W
　　增益：典型值17dB
　　效率：典型值60%
　　工作电压：28V
　　封装类型：SOT-502
　　输入阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

MRF19090LS具备出色的射频性能和高可靠性，适用于高功率密度和高线性度要求的应用场景。其LDMOS技术提供优异的热稳定性和较高的击穿电压，使其在高温和高负载条件下仍能保持稳定工作。该器件具有高增益和低失真特性，适用于多载波和宽带通信系统，能够有效支持多种调制格式。此外，MRF19090LS具有良好的抗失配能力和较高的耐用性，能够在负载失配的情况下继续工作而不损坏。该晶体管还具备良好的热管理和过热保护能力，适用于长时间连续运行的高功率应用。
　　MRF19090LS的封装设计优化了射频性能，确保在高频段下的低损耗和高稳定性。其SOT-502封装不仅提供了良好的散热性能，还便于集成到射频功率放大器模块中，减少了外围电路的复杂度。此外，该器件的输入和输出阻抗匹配良好，减少了外部匹配电路的需求，提高了系统设计的灵活性和效率。
　　该晶体管的设计考虑了现代通信系统对高效率和高线性度的需求，适用于多种无线通信标准，包括4G LTE、CDMA、WCDMA等。其优异的线性度表现有助于减少信号失真，提高信号质量和系统容量。此外，MRF19090LS的高效率特性有助于降低系统功耗和散热需求，从而延长设备寿命并降低运行成本。

MRF19090LS广泛应用于无线通信基站、蜂窝网络基础设施、多载波射频功率放大器、广播发射机、工业射频设备以及其他需要高功率、高效率和高稳定性的射频应用。它特别适用于需要在900 MHz频段提供高输出功率的无线通信系统，如LTE FDD和TDD基站、CDMA和GSM基站等。由于其高线性度和低失真特性，该器件也可用于需要高质量信号放大的应用，如数字广播和测试设备。

MRF19060LS, MRF19100LS, MRFE6VP6028H