JX2N2060B 是一款由国产厂商生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用场景。该器件具备低导通电阻、高耐压、高电流容量等特点,适用于中高功率的电子系统设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):60V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):110A(在25℃)
脉冲漏极电流(IDM):440A
导通电阻(RDS(on)):典型值为2.8mΩ(最大值4.5mΩ)
封装类型:TO-263(D2PAK)或TO-220
工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
JX2N2060B具有优异的导通性能和开关特性,其低导通电阻(RDS(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET工艺,具备良好的热稳定性和高可靠性。此外,JX2N2060B具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在极端工作条件下提供稳定的性能。其封装形式(如TO-263)具备良好的散热能力,适用于高功率密度设计。该器件还具备较强的抗短路能力,适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
JX2N2060B的栅极驱动电压范围较宽(通常为10V~20V),可以适配多种驱动电路设计。其内部结构优化,降低了寄生电容,有助于提高开关速度并减少开关损耗。该器件的封装设计也有助于简化PCB布局和散热设计,适用于自动化生产流程。
JX2N2060B广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、负载开关、逆变器、UPS系统、工业自动化控制设备以及新能源汽车相关电子系统。其优异的性能使其成为高效率、高可靠性电源设计的理想选择。
SiR178DP-T1-GE3, IPB013N06N3, FDD8878, IXFN110N60P