P4C164-12DMB 是一款由 Intel(英特尔)公司生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),属于其早期的高速缓存解决方案之一。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高速访问和高可靠性的特点,广泛应用于需要快速数据访问的计算机系统、嵌入式设备及工业控制系统中。P4C164-12DMB 的容量为16K x 4位,即总共有64Kbit的存储空间,支持异步操作模式,适用于不需要同步时钟信号的电路设计场景。
容量:64 Kbit
组织结构:16K x 4位
电源电压:5V±10%
访问时间:12ns
封装形式:28引脚 DIP 或 PLCC 封装
工作温度范围:商业级(0°C 至 +70°C)或工业级(-40°C 至 +85°C)
I/O配置:4个数据输出/输入引脚
控制信号:包括CE(片选)、OE(输出使能)、WE(写使能)等
P4C164-12DMB 的主要特性之一是其高速访问能力,访问时间为12纳秒,能够满足早期高性能处理器对高速缓存的需求。此外,该SRAM芯片采用异步接口设计,无需外部时钟同步,简化了电路设计并提高了系统的兼容性。其CMOS技术确保了较低的功耗水平,在待机模式下电流消耗极低,适合便携式设备或对能耗有要求的应用场景。
该芯片还具备良好的抗干扰能力和稳定性,能够在复杂电磁环境下保持正常运行。其28引脚封装方式便于安装在标准PCB上,并支持通过地址线扩展多个芯片以增加存储容量。由于其成熟的设计和广泛的使用历史,P4C164-12DMB 在市场上具有较高的可替代性和兼容性,许多厂商也推出了功能相似164-12DMB 常用于早期的个人计算机、工作站以及嵌入式系统的高速缓存设计中。例如,在某些基于x86架构的CPU系统中,它被用作一级或二级缓存来提升系统性能。此外,它也适用于需要快速读写操作的数据采集系统、通信设备、工业控制模块和测试测量仪器。
在教学与科研领域,该芯片也被用于电子工程实验课程中的存储器原理演示和接口编程实践,帮助学生理解和掌握SRAM的工作机制。
P4C164-12JMB
P4C164-12DM
IS61C164-12D
CY62164VLL-55ZS