时间：2025/8/4 18:19:57
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JW060ABK是一款由Jiangsu Changjiang Electronics Group Co., Ltd.（简称长电科技）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率、高频应用设计，广泛用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各类功率电子设备中。JW060ABK采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于需要高效率和高性能的功率系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤28mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
功耗（PD）：150W
技术：沟槽式MOSFET
JW060ABK具有多项优异的电气和热性能，适用于高功率和高频率的应用环境。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式结构，优化了电场分布，降低了开关损耗，提高了器件的开关速度和稳定性。
此外，JW060ABK具备较高的热稳定性和耐压能力，能够在高温环境下可靠运行。其TO-263（D2PAK）表面贴装封装不仅提供了良好的散热性能，还便于自动化生产和PCB布局。该封装形式也增强了器件的机械强度，提高了长期使用的可靠性。
该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受性，能够在突发负载或异常工作条件下保持稳定运行，适用于工业控制、电源模块、电动车驱动系统等对可靠性要求较高的应用场合。
JW060ABK广泛应用于各类高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、电动车控制器、逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及高功率LED照明驱动电路等。由于其优异的导通特性和高频开关性能，该器件也常用于同步整流、功率因数校正（PFC）电路和负载开关控制等场景。
IRF1405, STP60NF06, FDP6030L, SiHH060N6, IPW60R028C6
