LR9198-18 时间：2025/8/13 6:08:04 阅读：25

LR9198-18 是一款由 LRC（乐山无线电股份有限公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换和功率开关应用。LR9198-18 采用了先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于多种电源管理系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：134W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

LR9198-18 的核心特性之一是其非常低的导通电阻，这使得该器件在大电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体效率。由于采用了先进的沟槽技术，该 MOSFET 在高温环境下也能保持稳定的性能。此外，LR9198-18 的封装形式为 TO-220AB，这种封装不仅有助于良好的散热，也便于安装在标准的散热片上，适用于各种高功率密度的设计场景。
　　另一个重要特性是其强大的电流承载能力，最大连续漏极电流可达 60A，使其适用于需要高电流输出的应用，如 DC-DC 转换器、电机控制、电源开关等。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4V 至 10V 的栅极驱动电压，这使得其可以与多种类型的驱动电路兼容，包括低压微控制器和专用驱动 IC。
　　LR9198-18 还具备良好的热稳定性和短路耐受能力，能够在极端工作条件下保持可靠性。该器件的快速开关特性也使其适用于高频开关电源设计，有助于减小外部元件的尺寸并提高系统效率。

应用

LR9198-18 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见的应用场景包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电源管理系统、电池充电器以及各种工业自动化设备中的功率开关模块。此外，该 MOSFET 也可用于消费类电子产品中的高效电源设计，如笔记本电脑适配器、平板电脑电源管理模块等。