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STW15N95K5 发布时间 时间:2025/5/20 15:59:47 查看 阅读:47

STW15N95K5 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沯道功率 MOSFET。该器件采用 MDAP5 封装,适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
  STW15N95K5 的设计使其能够在高频率条件下保持高效的性能表现,同时其坚固的封装结构为实际应用提供了良好的散热能力。

参数

最大漏源电压(Vds):100V
  连续漏极电流(Id):15A
  导通电阻(Rds(on)):60mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):17nC(典型值)
  开关时间:t_on=23ns,t_off=14ns(典型值)
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

STW15N95K5 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频开关电源和 DC-DC 转换器的应用。
  3. 优化的栅极电荷设计,可降低驱动损耗。
  4. 强大的雪崩能力和 ESD 保护功能,增强了器件的可靠性。
  5. 小型化封装(MDAP5),在紧凑型设计中提供优异的热性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅材料使用。

应用

STW15N95K5 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和适配器。
  2. DC-DC 转换器及同步整流电路。
  3. 电池管理与保护系统。
  4. 电机驱动和控制。
  5. 负载开关及保护电路。
  6. 工业自动化和消费类电子产品的功率管理模块。

替代型号

STW15NF95K5
  IRFZ44N
  FDP5800

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STW15N95K5参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列SuperMESH5?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)950 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)500 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)40 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)900 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)170W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-3
  • 封装/外壳TO-247-3