JTXV1N6122 时间：2025/8/4 23:46:48 阅读：13

JTXV1N6122 是 Vishay Semiconductors 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于电源管理和开关应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等电路。

参数

类型: N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds: 120V
　　最大栅源电压 Vgs: ±20V
　　最大连续漏极电流 Id: 5A
　　导通电阻 Rds(on): 0.6Ω（典型值）
　　功耗: 50W
　　工作温度范围: -55°C 至 150°C
　　封装类型: TO-220

特性

JTXV1N6122 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在大电流应用中，这一特性尤为重要。
　　此外，该 MOSFET 支持高达 120V 的漏源电压，能够适应中高功率的电源管理系统。其高栅源电压容限（±20V）确保了在高压环境下的稳定运行。
　　器件采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。JTXV1N6122 的开关速度快，能够有效减少开关损耗，提高整体电路的效率。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下长时间运行而不会出现性能下降。这使其成为高可靠性系统的理想选择，如不间断电源（UPS）、工业自动化控制系统和电机驱动器。