时间：2025/8/21 3:56:30
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W25Q256FVEIF TR是一款由Winbond生产的256M位串行闪存芯片，采用SPI（Serial Peripheral Interface）接口，适用于各种需要非易失性存储解决方案的电子设备。该芯片具有高性能和高可靠性，广泛应用于嵌入式系统、工业控制、消费电子、通信设备等领域。W25Q256FVEIF TR采用50MHz的SPI时钟频率，支持快速读写操作，并具备多种低功耗模式以延长电池寿命。该器件封装为8引脚SOIC，符合RoHS环保标准。
容量：256M位（32MB）
SPI模式：标准SPI、双输出SPI、四输出SPI
工作电压：2.3V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：8-SOIC
接口频率：最大50MHz
读取模式：单线、双线、四线SPI
编程/擦除耐久性：100,000次循环
数据保持时间：20年
W25Q256FVEIF TR的核心特性包括高速SPI接口、灵活的读写模式以及丰富的存储容量。该芯片支持标准SPI、双输出SPI和四输出SPI模式，允许用户根据应用需求选择最佳的数据传输方式，从而提升系统性能。在标准SPI模式下，数据通过单线传输，而在双输出或四输出模式下，数据通过两线或四线并行传输，显著提高读写速度。
该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，适用于多种电源环境，同时在低电压条件下仍能稳定运行。工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境，确保在极端温度下的可靠运行。W25Q256FVEIF TR采用8引脚SOIC封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合在紧凑型电子设备中使用。
该器件的最大SPI时钟频率可达50MHz，提供高速数据传输能力，满足对实时性要求较高的应用场景。此外，W25Q256FVEIF TR具备100,000次编程/擦除循环的耐久性，数据保持时间长达20年，确保长期数据存储的可靠性。为了优化功耗，该芯片支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，适用于电池供电设备。
W25Q256FVEIF TR广泛应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统，如智能电表、工业控制器、医疗设备、通信模块、音频/视频设备等。在消费电子产品中，该芯片可用于存储固件、配置数据、用户设置等关键信息。由于其高速SPI接口和低功耗特性，W25Q256FVEIF TR也适用于便携式设备，如智能手表、无线耳机、移动支付终端等。此外，在汽车电子领域，该芯片可用于存储导航数据、车载娱乐系统固件、传感器校准信息等。在物联网（IoT）设备中，W25Q256FVEIF TR可提供稳定的存储支持，适用于智能家居控制器、无线传感器节点、远程监控设备等。
W25Q256JVFIQ TR
W25Q256FVFIG TR
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AT25SF256A-SSHD-2.3
