时间：2025/9/1 17:32:56
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IS61QDPB42M36A-500M3LI 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗的双端口同步静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片的存储容量为2M x36位，工作频率最高可达500MHz，适用于需要高速数据存取的高性能系统应用。
容量：2M x36位
访问时间：500MHz（2ns）
电源电压：1.8V至3.3V（核心电压1.8V，I/O电压可支持到3.3V）
封装类型：361-TFBGA
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：QDR II（Quad Data Rate）II接口
数据输入/输出：36位双向数据总线
功耗：低功耗设计，典型工作电流根据频率和负载而定
IS61QDPB42M36A-500M3LI 采用QDR（四倍数据速率）II架构，能够在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据，显著提升了数据吞吐率。该芯片支持独立的读写端口，允许在同一个时钟周期内同时进行读操作和写操作，提高了并发处理能力。
此外，该SRAM器件内置了可编程的阻抗匹配功能（ODT，On-Die Termination），有助于减少信号反射并提升信号完整性。其可支持的电压范围较宽（1.8V至3.3V），适用于多种系统设计需求。该芯片还具备低功耗模式，在不使用时可降低功耗以延长系统运行时间。
在物理封装方面，IS61QDPB42M36A-500M3LI 采用紧凑的361-TFBGA封装形式，适用于高密度电路板布局。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在严苛的环境条件下稳定工作。
该芯片广泛应用于需要高速数据缓冲和处理的领域，如网络路由器和交换机中的缓存存储器、通信设备的协议处理、测试与测量设备的高速数据采集、工业控制系统的实时数据存储等。由于其高带宽和低延迟的特性，特别适用于需要高性能双端口内存的嵌入式系统和数据密集型应用。
IS61QDPB42M36A-500M3LFI
