时间：2025/5/10 10:10:52
阅读：9
JST70N40D5G是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的制造工艺设计，适用于高频开关和功率转换场景。该器件属于N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效功率管理的场合。其封装形式为TO-263（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和出色的热性能。
由于其卓越的电气特性和可靠性，JST70N40D5G被广泛用于工业控制、消费电子、通信设备以及其他对效率和性能要求较高的领域。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：70A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：89nC
开关时间：典型值ton=12ns，toff=17ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-263
JST70N40D5G具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达70A的连续漏极电流，适用于大功率应用。
3. 快速开关速度，确保在高频工作条件下实现高效的功率转换。
4. 出色的热稳定性，能够承受极端温度环境，从-55℃到+175℃的工作结温范围。
5. 采用TO-263封装，兼容自动化生产和表面贴装工艺。
6. 高可靠性设计，满足严苛的工业标准和长期运行需求。
JST70N40D5G适用于多种功率转换和控制应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. 电机驱动器和逆变器电路中的功率开关。
3. 蓄电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
4. 充电器、适配器和其他便携式设备的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的功率转换和控制单元。
6. 通信电源和不间断电源（UPS）系统的功率级组件。
JST70N40D5L, IRF7729PBF, FDP75N40AE
