类型：LDMOS 射频功率晶体管
　　频率范围：500 MHz
　　输出功率：75W CW
　　漏极电压（Vds）：最大 50V
　　栅极电压（Vgs）：最大 ±5V
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　输入阻抗：50Ω
　　封装形式：TO-247

MRF276GU 具备优异的射频性能和热稳定性，使其在高功率应用中表现出色。其核心特性包括：
　　? 高输出功率：该晶体管在 500 MHz 下可提供高达 75W 的连续波输出功率，适合需要高功率放大的射频系统。
　　? 高效率：MRF276GU 的高效率设计减少了能量损耗，降低了散热需求，提高了系统整体能效。
　　? 宽工作电压范围：支持 28V 至 50V 的漏极电压，适应多种电源配置，增强了设计灵活性。
　　? 优良的热管理：TO-247 封装具有良好的热导性能，能够有效散热，确保长时间高功率运行的稳定性。
　　? 高可靠性：该晶体管采用坚固的 LDMOS 工艺制造，具有优异的抗过载能力和长寿命，适用于严苛的工业和商业环境。
　　? 输入匹配：MRF276GU 提供 50Ω 的输入阻抗，简化了与前级电路的匹配设计，减少了外部元件的需求。
　　? 高增益：该晶体管在典型工作条件下提供较高的增益，减少了对前级放大器的需求，简化了系统设计。
　　? 稳定性：MRF276GU 在各种负载条件下均保持良好的稳定性，降低了失真和振荡的风险。

MRF276GU 主要用于以下领域：
　　? 射频放大器：适用于 HF、VHF 和 UHF 频段的射频功率放大器设计，提供高输出功率和稳定性。
　　? 广播设备：用于广播发射机中的末级功率放大器，支持 AM、FM 和数字广播系统。
　　? 工业加热：用于射频能量加热系统，如塑料热合机、干燥设备和等离子发生器。
　　? 医疗设备：应用于射频消融设备和其他需要高功率射频能量的医疗仪器。
　　? 测试设备：用于射频测试仪器中的信号放大和负载模拟。
　　? 通信系统：适用于无线基站、中继器和高功率通信设备中的射频功率放大。

MRF276GU 可以替代的型号包括：MRF274、MRF277、MRF278。这些型号在某些应用中可以互换使用，但需要根据具体的设计要求进行匹配和调整。