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GA0805H152JBABR31G 发布时间 时间:2025/5/10 14:55:26 查看 阅读:12

GA0805H152JBABR31G 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的高频率、高性能放大器芯片,主要用于射频和微波通信领域。该芯片具有出色的增益特性、低噪声系数以及较高的线性度,适合于无线通信系统中的信号放大任务。
  其设计结合了先进的制造技术和优化的电路结构,能够满足现代通信设备对高频性能的苛刻要求。GA0805H152JBABR31G 在多种工作条件下均表现出稳定的性能,同时具备良好的抗干扰能力。

参数

型号:GA0805H152JBABR31G
  工艺类型:GaAs 工艺
  工作频率范围:8GHz 至 12GHz
  增益:15dB 典型值
  输出功率(1dB 压缩点):+20dBm 典型值
  噪声系数:2.5dB 典型值
  电源电压:+5V 典型值
  静态电流:150mA 典型值
  封装形式:裸芯片或小型表面贴装封装
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

1. 高频率范围支持:适用于8GHz到12GHz的高频段应用,覆盖多种现代通信标准。
  2. 高增益与线性度:在目标频率范围内提供15dB的典型增益,并保持较低的失真。
  3. 低噪声系数:典型值为2.5dB,确保在弱信号环境下仍能实现高质量的信号放大。
  4. 小尺寸与高效能:采用紧凑型封装设计,易于集成到空间受限的设备中。
  5. 宽温范围操作:能够在工业级温度范围内稳定运行,适应各种恶劣环境条件。
  6. 稳定性优异:经过严格的测试和验证,保证长期使用的可靠性和一致性。

应用

1. 无线通信基站:
  用于提升基站接收端和发射端的信号质量,特别是在高频段通信中。
  2. 卫星通信:
  适用于卫星地面站及用户终端中的信号放大处理。
  3. 微波链路:
  为点对点或点对多点微波通信系统提供关键的信号放大功能。
  4. 雷达系统:
  作为雷达收发模块的一部分,增强系统的探测能力和分辨率。
  5. 测试测量设备:
  用作信号源或接收机前端的放大组件,以提高测试精度。

替代型号

GA0805H152JBABR29F, GA0805H152JBABR30G

GA0805H152JBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1500 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-