时间：2025/6/24 15:59:36
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JSM10N50D是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频工作条件下保持高效率。
JSM10N50D属于N沟道增强型MOSFET，采用TO-220封装形式，适合于需要高耐压能力的电路设计。其典型应用包括但不限于开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器以及电磁阀控制等场景。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：10A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻：0.9Ω
总功耗：100W
工作结温范围：-55℃~150℃
JSM10N50D具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：能够承受高达500V的漏源电压，适用于高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻：在正常工作状态下，导通电阻仅为0.9Ω，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关性能：具备较高的开关速度，可有效减少开关损耗。
4. 稳定性强：宽泛的工作温度范围确保了器件在极端条件下的可靠性。
5. 小型化封装：采用标准TO-220封装，便于散热并简化PCB布局设计。
JSM10N50D主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)：如适配器、充电器等。
2. 直流-直流转换器：用于电压调节和电平转换。
3. 电机驱动：适用于中小功率电机控制。
4. 电磁阀控制：提供快速且可靠的开关动作。
5. 工业自动化设备：如逆变器、不间断电源(UPS)等。
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