您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MMBZ5261B IC

MMBZ5261B IC 发布时间 时间:2025/8/14 3:47:35 查看 阅读:5

MMBZ5261B 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的表面贴装(SMD)双向TVS(瞬态电压抑制)二极管阵列,专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压等瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用了先进的硅雪崩技术,能够在极短时间内响应高能量瞬态电压,并将其钳位至安全水平,从而有效保护下游电路。MMBZ5261B 采用SOT-23(SC-59)封装,适用于便携式电子设备、通信接口、消费类电子产品和工业控制系统等多种应用场景。

参数

类型:双向TVS二极管阵列
  工作电压:5V
  击穿电压:5.67V(最小值)
  钳位电压:9.2V(最大值)
  峰值脉冲电流(IPP):11.5A
  功率耗散:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23(SC-59)

特性

MMBZ5261B 具备出色的瞬态电压抑制性能,能够在极短时间内响应高达11.5A的峰值脉冲电流,确保在高压瞬态事件中快速将电压钳位至安全水平。该器件的双向特性使其适用于交流信号线路的保护,尤其适合用于需要对正负极性瞬态电压都进行抑制的应用场景。
  其300mW的额定功率使其能够在不损坏器件的情况下吸收一定量的瞬态能量。此外,MMBZ5261B 的低漏电流特性(在正常工作电压下通常小于100nA)确保了在正常运行期间对系统功耗的影响极小,非常适合用于低功耗设计。
  采用SOT-23封装形式的MMBZ5261B具有较小的封装尺寸,便于在空间受限的PCB布局中使用,同时提供良好的热管理和机械稳定性。该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4(静电放电抗扰度标准)的要求,适用于要求高可靠性的工业和通信设备保护应用。
  此外,MMBZ5261B 的设计确保了在多次瞬态事件下的稳定性能,具备良好的重复性和长期可靠性,是许多高要求电子系统中的理想保护器件。

应用

MMBZ5261B 主要用于各种需要瞬态电压保护的电子设备中,例如USB接口、HDMI接口、以太网端口、音频/视频信号线、RS-232通信线路等。它也常用于保护便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、数码相机)中的敏感IC和传感器免受静电放电和其他瞬态电压事件的影响。
  在工业自动化系统中,MMBZ5261B 可用于保护PLC输入输出端口、传感器接口和现场总线通信线路。在汽车电子系统中,它可以用于保护车载通信总线(如CAN总线)和控制模块免受瞬态电压干扰。
  此外,MMBZ5261B 还适用于医疗设备、测试仪器和网络设备等对可靠性和稳定性有高要求的应用场景。

替代型号

MMBZ5261BLT1G, SMBJ5.0CA, TVS0500

MMBZ5261B IC推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价