类型：功率MOSFET
　　制造商：Infineon Technologies
　　封装类型：PG-HSOP-8
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻（RDS(on)）：17.8mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　技术：沟槽式MOSFET
　　安装类型：表面贴装
　　极性：N沟道

IQDH29NE2LM5CGSC采用了Infineon先进的沟槽式功率MOSFET技术，确保了低导通电阻和出色的开关性能。这种MOSFET在导通状态下的功耗非常低，有助于提高整体系统的能效。其17.8mΩ的典型RDS(on)值在20V VDS下提供了良好的电流处理能力，适用于需要高电流密度的设计。
　　该器件的栅极驱动电压为4.5V至12V，支持标准逻辑电平控制，便于与各种控制器或驱动器配合使用。同时，其±12V的栅源电压耐受能力提供了良好的栅极保护，防止因电压尖峰而导致的损坏。
　　PG-HSOP-8封装设计不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，确保在高电流条件下仍能保持稳定运行。这种封装还具有较低的寄生电感，有助于减少开关过程中的振铃效应，从而降低EMI（电磁干扰）并提高系统可靠性。
　　该MOSFET可在-55°C至175°C的温度范围内稳定工作，适应各种恶劣环境条件。其高耐温特性使其特别适合用于汽车电子、工业自动化、通信设备等对可靠性要求较高的应用领域。

IQDH29NE2LM5CGSC适用于多种高性能电源管理应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及服务器和电信设备的电源模块。由于其出色的导通和开关性能，该MOSFET在高频率开关电路中表现尤为出色，可有效提升系统效率并减少散热需求。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车载信息娱乐系统（IVI）等。其高可靠性和宽工作温度范围也使其成为工业自动化控制、可再生能源系统（如太阳能逆变器）中的理想选择。此外，该MOSFET还可用于消费类电子设备中的高效电源管理方案，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电等。

IPD9N20C4-02, BSC019N04LS5, BUK9K14-40E