容量：128 Mbit（16 MB）
　　组织结构：16 M x 8 / 8 M x 16
　　工艺技术：StrataFlash MLC 技术
　　封装形式：56-pin TSOP Type I
　　工作电压：3.0V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　读取访问时间：70 ns / 90 ns（根据不同速度等级）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　接口类型：x8/x16 可配置
　　写保护功能：硬件WP#引脚支持
　　待机电流：典型值为50 μA
　　快速页读取模式：支持
　　块结构：64个块，每块256 KB
　　支持CFI（Common Flash Interface）：是
　　自动选择识别：支持厂商和设备ID读取

JS28F128P30T的核心特性之一是其基于StrataFlash MLC（Multi-Level Cell）技术的设计，使得每个存储单元可以存储多个比特的数据，显著提升了存储密度并降低了单位成本，同时保持了NOR Flash在随机访问和可靠性方面的优势。这种技术特别适用于对成本敏感但又需要较大代码存储空间的应用场景。该芯片支持高速读取操作，典型访问时间为70ns或90ns，能够满足实时系统中对快速启动和代码执行的需求。它支持x8和x16两种总线宽度模式，用户可通过硬件配置灵活选择，适应不同主控处理器的数据总线需求。
　　另一个关键特性是其强大的嵌入式算法支持，包括自动编程和自动擦除功能，简化了软件开发流程，并减少了主机CPU的干预负担。芯片内置状态寄存器，可用于轮询操作完成状态，支持ECC（错误校验与纠正）机制，在高可靠性应用中可检测并纠正位错误，提升数据完整性。此外，该器件具备完整的块保护机制，通过WP#引脚实现硬件写保护，防止意外擦除或写入，确保关键固件的安全性。
　　JS28F128P30T还具备优异的环境适应能力，支持宽温工作范围（-40°C至+85°C），符合工业级标准，可在恶劣环境下稳定运行。其低功耗设计包含多种省电模式，如待机模式和深度掉电模式，极大降低了静态功耗，非常适合便携式或远程部署设备。CFI（Common Flash Interface）支持使其能够被通用编程器和操作系统识别，便于系统集成与维护。整体而言，该芯片在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。

JS28F128P30T广泛应用于各类需要可靠、高速非易失性存储的嵌入式系统中。常见应用包括网络设备如路由器、交换机和防火墙，用于存储引导代码（Boot Code）、操作系统映像和配置文件，其XIP（就地执行）能力允许处理器直接从闪存运行代码，减少对外部RAM的依赖，加快启动速度。在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程终端单元（RTU），该芯片用于存储固件和用户程序，得益于其宽温特性和高耐久性，可在严苛环境中长期稳定运行。
　　此外，该器件也适用于通信基础设施设备，例如基站控制模块、VoIP网关和DSL调制解调器，提供稳定的代码存储支持。在消费类电子产品中，如机顶盒、数字电视和智能家居网关，JS28F128P30T用于存放启动程序和应用程序代码。由于其支持硬件写保护和ECC功能，也常用于医疗设备、测试仪器等对数据安全性要求较高的领域。车载电子系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）和远程信息处理单元（Telematics），该芯片可作为可靠的代码存储介质。总之，凡是对启动速度、数据完整性和环境适应性有较高要求的嵌入式应用场景，JS28F128P30T都是一个成熟且值得信赖的选择。

MT28EW128ABA

请注意，Intel已将其NOR Flash业务转让给Micron Technology，因此JS28F128P30T现由Micron继续支持和生产，相关技术文档可在Micron官网获取。