IXTQ50N25T 时间：2025/8/6 12:59:54 阅读：23

IXTQ50N25T是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其设计用于高功率开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和逆变器等多种应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：50A
　　最大漏-源极电压：250V
　　最大栅-源极电压：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω
　　漏极连续电流：50A
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散：300W

特性

IXTQ50N25T MOSFET采用了先进的平面技术，具有优异的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流下较低的功率损耗，从而提高了系统效率。此外，该器件具有出色的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下稳定工作。快速的开关速度减少了开关损耗，使得该MOSFET适用于高频开关应用。该器件的封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，确保在高功率条件下的可靠性。
　　这款MOSFET还具有良好的短路耐受能力，能够在极端条件下提供更高的安全性和稳定性。其高栅极电荷特性使其适用于需要快速切换的应用，例如开关电源和逆变器电路。此外，IXTQ50N25T的结构设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于降低系统的电磁噪声。

应用

IXTQ50N25T广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电源、UPS（不间断电源）、电机驱动器、太阳能逆变器、电池充电器以及各种类型的DC-DC转换器。由于其高可靠性和优异的热性能，该MOSFET也适用于需要长时间高负载运行的系统，如工业自动化设备和电动汽车充电系统。此外，该器件还可用于音频放大器、焊接设备和感应加热装置等高功率模拟电路中。