时间：2025/7/9 10:57:33
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GRT155C80G225KE13D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和性能。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，适用于高频开关应用。其封装形式通常为表面贴装类型，有助于提高散热性能并简化 PCB 设计。
最大漏源电压：155V
连续漏极电流：80A
导通电阻（典型值）：22.5mΩ
栅极电荷：65nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247 或 D2PAK
1. 低导通电阻设计，可有效减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用环境。
3. 快速开关特性，支持高频操作，降低电磁干扰。
4. 宽工作温度范围，能够在极端条件下稳定运行。
5. 具备优异的热性能，确保长时间工作的可靠性。
6. 内置静电保护功能，增强了芯片的鲁棒性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
1. 开关电源（SMPS）中的主功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
4. 新能源汽车中的逆变器和电池管理系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED 照明驱动电路中的功率调节元件。
7. 各类高频功率变换场合，例如无线充电器或适配器。
GRT155C80G250KE13D, IRF840, FQP17N20
