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JS28F064M29EWLB TR 发布时间 时间:2025/12/27 3:53:47 查看 阅读:8

JS28F064M29EWLB TR 是英特尔(Intel)推出的一款基于NOR闪存技术的64兆位(Mb)非易失性存储器芯片,广泛应用于需要高可靠性和快速读取性能的嵌入式系统中。该器件属于Intel StrataFlash Embedded Memory系列,采用先进的MirrorBit工艺技术制造,能够在单个存储单元中存储两个独立的比特信息,从而在不增加芯片面积的情况下实现更高的存储密度。这款芯片采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适用于对空间要求较高的便携式设备或工业控制设备。
  JS28F064M29EWLB TR 支持多种工作模式,包括读取、编程、擦除和低功耗待机模式,具备较强的环境适应能力。其设计目标是为嵌入式应用提供可靠的代码存储解决方案,支持XIP(eXecute In Place)功能,即处理器可以直接从闪存中执行程序代码,无需将代码复制到RAM中,从而节省系统资源并提升启动速度。此外,该芯片还集成了错误检测与纠正机制,增强了数据存储的可靠性。尽管英特尔已逐步退出部分闪存市场并将相关技术授权给第三方厂商,但JS28F064M29EWLB TR 仍在许多现有工业、通信和汽车电子系统中持续使用,并可通过授权合作伙伴或分销渠道获取。

参数

容量:64 Mbit(8 MB)
  组织结构:按字节访问,每字节8位
  电压范围:2.7V 至 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP-56
  读取访问时间:最大70ns
  编程/擦除耐久性:典型10万次擦写周期
  数据保持时间:超过10年
  接口类型:并行接口(x8/x16模式可配置)
  待机电流:典型值为50 μA
  高速读取电流:典型值为30 mA
  支持块锁定保护功能:支持
  支持软件数据保护机制:支持

特性

JS28F064M29EWLB TR 采用Intel独有的MirrorBit技术,这一创新的存储架构允许在每个物理存储单元中存储两个独立的数据位,分别位于“左”和“右”两个位置,通过改变电荷分布来实现多层信息存储。这种技术不仅显著提高了存储密度,还降低了单位容量的成本,同时保持了传统NOR闪存的高性能特性。得益于MirrorBit技术,该芯片在相同硅片面积下实现了双倍存储容量,非常适合对成本敏感且需要较高代码存储空间的应用场景。
  该芯片支持全电压范围内操作,适用于宽电压供电系统,能够兼容多种电源管理方案。其内置的内部VPP生成电路可在编程和擦除操作期间自动产生所需的高压,无需外部提供额外的编程电压,简化了系统设计。此外,器件支持硬件和软件双重写保护机制,防止因意外写入或误操作导致的关键代码损坏,提升了系统的稳定性与安全性。
  JS28F064M29EWLB TR 具备高效的命令集架构,用户可通过标准的CE#、OE#和WE#控制信号执行读取、编程和擦除操作。支持按扇区(Sector)进行擦除,最小擦除单元通常为64KB或更小,允许精细管理存储内容。同时,器件集成有状态轮询机制,可用于判断编程或擦除操作是否完成,便于实时监控操作进度。
  为了增强抗干扰能力和长期数据保持性,该芯片在制造过程中采用了高可靠性的氧化层工艺,并经过严格的可靠性测试,确保在极端温度和湿度条件下仍能稳定运行。此外,其低功耗特性使其适用于电池供电或绿色节能型设备,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长系统续航时间。整体而言,该芯片在性能、可靠性和灵活性之间达到了良好平衡,适合用于复杂嵌入式环境下的持久化存储需求。

应用

JS28F064M29EWLB TR 广泛应用于各类需要高可靠性代码存储的嵌入式系统中。在通信设备领域,常用于路由器、交换机、基站控制器等网络设备中作为固件存储介质,支持快速启动和稳定运行。由于其支持XIP(就地执行)功能,处理器可直接从该闪存中加载和执行操作系统或应用程序代码,减少对外部RAM的依赖,从而优化系统架构并降低成本。
  在工业自动化与控制系统中,该芯片被用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)、传感器模块和远程I/O模块中,存储配置参数、控制逻辑和校准数据。其宽温工作范围(-40°C 至 +85°C)确保在恶劣工业环境下依然稳定可靠,满足工业级产品对耐用性的严苛要求。
  在汽车电子领域,JS28F064M29EWLB TR 可用于车身控制模块(BCM)、仪表盘、车载信息娱乐系统(IVI)以及ADAS(高级驾驶辅助系统)中的子模块,用于存储引导程序、诊断代码和车辆配置信息。虽然现代汽车越来越多地转向更高密度或串行接口的闪存,但在一些成熟车型或特定ECU设计中,该型号仍有广泛应用。
  此外,该芯片也常见于医疗设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中,这些应用对数据完整性和长期稳定性有极高要求。其内建的错误检测机制和耐久性设计使其成为关键任务系统中理想的非易失性存储解决方案。随着物联网(IoT)的发展,一些边缘计算节点和智能网关设备也会选用此类并行NOR闪存以保证启动可靠性和实时响应能力。

替代型号

MT28EW064ABA-0-SIT:D

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JS28F064M29EWLB TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8,4M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装56-TSOP