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JS28F064M29EWLA 发布时间 时间:2025/12/27 2:55:36 查看 阅读:17

JS28F064M29EWLA是一款由Intel(现为Skyworks Solutions, Inc. 旗下)推出的64兆位(Mbit)的NOR闪存芯片,属于其第二代StrataFlash嵌入式内存产品线。该器件采用先进的封装技术和制造工艺,专为需要高可靠性、高性能和低功耗特性的工业控制、通信设备、网络基础设施以及汽车电子等应用而设计。JS28F064M29EWLA支持多电平单元(MLC)技术,在保持成本效益的同时提升了存储密度。其接口兼容通用异步收发器(Common Flash Interface, CFI),便于系统集成与软件兼容性开发。该芯片具备多种省电模式,包括待机和深度掉电模式,适合对能耗敏感的应用场景。此外,它还集成了错误检测与纠正(ECC)功能,以增强数据完整性与长期运行的稳定性。整体上,JS28F064M29EWLA在恶劣环境下的耐久性和数据保持能力表现出色,工作温度范围广泛,适用于严苛工业级条件。

参数

制造商:Intel (现归属Skyworks)
  系列:StrataFlash? Embedded Memory
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:64 Mbit (8 MB)
  组织结构:按字节/字寻址,x16位数据总线
  电压范围:2.7V 至 3.6V(Vcc)
  工作电流:典型读取电流约70mA,待机电流低于50μA
  访问时间:最大70ns(速度等级可能因版本略有差异)
  封装形式:TSOP-56 (400 mil)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  接口标准:CFI 兼容(Common Flash Interface)
  写保护功能:支持硬件写保护(WP# 引脚)与软件写保护命令
  编程/擦除耐久性:典型值为100,000次擦写周期
  数据保持时间:大于10年(在正常工作条件下)
  内部ECC:支持,用于提升数据可靠性

特性

JS28F064M29EWLA具备卓越的多模式操作能力,支持全电压范围内稳定运行,适用于多样化的电源管理系统。其核心优势在于结合了NOR Flash的传统快速随机访问性能与MLC技术带来的更高存储效率,使得在不牺牲读取速度的前提下实现了容量扩展。该芯片支持页编程和块擦除机制,允许精细管理存储区域,减少无效写入并延长使用寿命。内置智能算法可自动进行坏块管理和磨损均衡,进一步提升系统的长期稳定性。
  该器件具有高度的环境适应性,能够在极端温度条件下可靠运行,符合工业级和部分汽车级应用需求。其TSOP-56封装设计优化了PCB布局空间,并增强了抗振动和热循环能力。信号完整性方面,采用了改进的输出驱动控制和噪声抑制技术,确保在高速数据传输过程中仍能维持良好的电平稳定性。
  安全性方面,除了基本的写保护引脚外,还提供软件锁定功能,防止意外或恶意修改关键固件内容。通过CFI指令集,主机系统可以动态查询芯片参数,实现跨厂商兼容和灵活配置。此外,JS28F064M29EWLA支持多种低功耗模式,如自动休眠和深度掉电模式,极大降低了待机状态下的能量消耗,非常适合电池供电或绿色节能型设备使用。整体架构兼顾性能、可靠性与能效,是嵌入式系统中理想的代码存储解决方案。

应用

JS28F064M29EWLA广泛应用于各类需要高可靠性和快速启动能力的嵌入式系统中。典型用途包括路由器、交换机和其他网络设备中的固件存储,因其具备快速随机读取能力,能够直接XIP(eXecute In Place),从而加快系统启动速度并减少对外部RAM的依赖。在工业自动化领域,该芯片用于PLC控制器、HMI人机界面和远程I/O模块,承载操作系统映像和应用程序代码。
  在电信基础设施中,如基站控制单元和光网络终端(ONT),JS28F064M29EWLA用于存储配置参数和运行固件,其宽温特性和长期数据保持能力确保设备在无人值守环境下长期稳定运行。汽车电子系统中,该芯片可用于车载信息娱乐系统(IVI)、仪表盘控制模块和ADAS辅助驾驶单元的引导程序存储。
  此外,医疗设备、测试测量仪器以及航空航天电子设备也常采用此类工业级NOR Flash,以满足严格的安全认证和生命周期要求。由于其支持ECC和写保护机制,特别适合不能容忍数据损坏的关键任务系统。总体而言,凡是对启动速度、数据完整性和环境耐受性有较高要求的应用场景,JS28F064M29EWLA都是一个值得信赖的选择。

替代型号

S29GL064N90TF104
  MT28EW064ABA-0SIT
  IS25LP064A-JBLE

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JS28F064M29EWLA参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8,4M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装56-TSOP