JMV1206S560T381 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,采用 SOT-23 封装。它主要用于开关和功率管理应用中,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。该器件适用于需要高效能和小尺寸解决方案的设计场景。
该 MOSFET 的主要特点是其优化的栅极驱动特性和较低的 Qg(栅极电荷),从而减少了开关损耗并提高了系统效率。
型号:JMV1206S560T381
封装:SOT-23
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻):380mΩ(典型值,25℃)
Id(连续漏极电流):1.2A
Vgs(th)(栅极阈值电压):1.8V~3.6V
Qg(栅极电荷):4nC
f(工作频率):最高支持几百kHz
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
JMV1206S560T381 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低传导损耗。
2. 高效的开关性能,得益于其低栅极电荷 Qg 和快速开关时间。
3. 良好的热稳定性,适合高温环境下的长期运行。
4. 紧凑的 SOT-23 封装设计,节省 PCB 布局空间。
5. 高可靠性,符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车电子和其他高要求领域。
6. 宽工作温度范围,适应各种恶劣环境。
JMV1206S560T381 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 汽车电子系统的电源管理和电机驱动。
5. 各种消费类电子产品中的过流保护和信号切换功能。
6. 工业控制设备中的小型化功率模块设计。
JMV1206S560T420
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