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JMV1206S560T381 发布时间 时间:2025/7/16 12:55:52 查看 阅读:6

JMV1206S560T381 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,采用 SOT-23 封装。它主要用于开关和功率管理应用中,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。该器件适用于需要高效能和小尺寸解决方案的设计场景。
  该 MOSFET 的主要特点是其优化的栅极驱动特性和较低的 Qg(栅极电荷),从而减少了开关损耗并提高了系统效率。

参数

型号:JMV1206S560T381
  封装:SOT-23
  Vds(漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):380mΩ(典型值,25℃)
  Id(连续漏极电流):1.2A
  Vgs(th)(栅极阈值电压):1.8V~3.6V
  Qg(栅极电荷):4nC
  f(工作频率):最高支持几百kHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

JMV1206S560T381 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低传导损耗。
  2. 高效的开关性能,得益于其低栅极电荷 Qg 和快速开关时间。
  3. 良好的热稳定性,适合高温环境下的长期运行。
  4. 紧凑的 SOT-23 封装设计,节省 PCB 布局空间。
  5. 高可靠性,符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车电子和其他高要求领域。
  6. 宽工作温度范围,适应各种恶劣环境。

应用

JMV1206S560T381 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 汽车电子系统的电源管理和电机驱动。
  5. 各种消费类电子产品中的过流保护和信号切换功能。
  6. 工业控制设备中的小型化功率模块设计。

替代型号

JMV1206S560T420
  JMV1206S560T450