时间：2025/5/7 12:00:09
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IRLML2502 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET，专为低电压、低导通电阻应用设计。该器件采用微型SOT-23封装形式，非常适合于空间受限的应用场景。由于其较低的导通电阻和高开关速度，IRLML2502常用于便携式设备中的负载开关、DC-DC转换器以及电池管理等电路中。
最大漏源电压Vds：20V
最大栅源电压Vgs：±8V
持续漏极电流Id：1.9A
导通电阻Rds(on)（在Vgs=4.5V时）：75mΩ
导通电阻Rds(on)（在Vgs=10V时）：50mΩ
栅极电荷Qg：4nC
总功耗Ptot：340mW
工作结温范围Tj：-55℃ to +150℃
IRLML2502具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可以显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 小型化的SOT-23封装，有助于减小PCB面积占用。
4. 较宽的工作温度范围，适应多种环境条件。
5. 具备良好的热稳定性，确保长时间运行可靠性。
6. 支持低压驱动，与常见的逻辑电平兼容，简化了驱动电路设计。
IRLML2502广泛应用于各类电子设备中，具体包括：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电池保护和充电管理电路。
4. LED驱动和背光控制。
5. 各类小型化电源模块。
6. 工业控制和消费类电子产品中的小型继电器替代方案。
IRLML6244, IRLML2502TRPBF, SI2302DS
