BZX85C51是一种常见的齐纳二极管(Zener Diode),广泛应用于电压稳压、过压保护和参考电压生成等电路中。该型号的齐纳二极管具有较高的稳定性和可靠性,能够在特定的反向电压下保持恒定的电压值,从而为电路提供稳定的电压输出。
齐纳二极管的工作原理基于齐纳击穿效应,在反向偏置的情况下,当电压达到其标称齐纳电压时,电流可以在较大的范围内变化,而电压基本保持不变。这种特性使其非常适合用于需要精确电压控制的应用场景。
型号:BZX85C51
齐纳电压:5.1V
功率耗散:1.3W
最大工作电流:260mA
反向漏电流:最大5μA(在25℃条件下)
正向电压:约1V(典型值,通过10mA电流时)
封装形式:DO-41或DO-27
工作温度范围:-55℃至+150℃
BZX85C51具备以下显著特性:
1. 高精度的齐纳电压值,能够确保电路中的电压稳定性。
2. 较低的动态电阻,有助于提高稳压性能。
3. 优秀的温度稳定性,能够在较宽的温度范围内保持良好的性能。
4. 小型化封装设计,适合空间受限的应用环境。
5. 可靠性高,适用于长时间连续工作的电路。
6. 能够承受一定的浪涌电流,适合用作过压保护器件。
BZX85C51齐纳二极管广泛应用于以下领域:
1. 电源电路中的电压稳压模块,用于为敏感电子元件提供稳定的电压输入。
2. 过压保护电路,防止外部瞬态高压对后续电路造成损坏。
3. 参考电压源,用于精密模拟电路的设计。
4. 模拟信号处理电路中的基准电压生成。
5. 开关电源和线性电源中的反馈稳压网络。
6. 通信设备、消费类电子产品以及工业控制系统的电压调节与保护环节。
BZX84C51, 1N4733A, MMSZ5229B